- Especificaciones
- Interfaz PCIe
- Compatible con NVMe 1.3
- Compatible con la interfaz PCIe Gen3 x4
- Capacidad
- 512 GB
- Rendimiento*
- Seq. Leer escribir:
- 512 GB: hasta 3500/2300 MB / s
- (4K) Lectura / escritura aleatoria
- 512 GB: hasta 400 K / 600 K IOPS
- Gestión de Flash
- Nivelación de desgaste global
- Gestión de bloques defectuosos
- INTELIGENTE.
- Gestión de fallos de energía
- Resistencia (en terabytes escrito: TBW)
- 512 GB: 350 TB
- Rango de temperatura
- En funcionamiento: 0 ° C a 70 ° C
- Almacenamiento: -40 ° C a 85 ° C
- Voltaje de suministro
- 3,3 V ± 5%
- Consumo de energía *
- Modo activo: 4118 mW (máx.)
- Estado de energía: 70 mW (máx.)
- Tipo de conector
- Pinout del módulo M.2 de 75 pines
- Tipo de flash NAND: 3D NAND
- MTBF: 1.800.000 horas
- Factor de forma
- M.2 2280
- Dimensiones:
- Un solo lado: 80,00 x 22,00 x 2,25, unidad: mm
- Doble cara: 80,00 x 22,00 x 3,5, unidad: mm
- Peso neto: 6,80 g
- Choque **
- Choque: 1.500 G / 0.5 mseg
- Cumple con RoHS
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- Código: AP512GAS2280P4U-1
- Disponibilidad: 37
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